Das Defektmodell zur Topografieanalyse mechanisch bearbeiteter Halbleiter-Oberflächen

Mikrospaltbruchflächen definierter Ausrichtung und Neigung prägen die Topografie mechanisch bearbeiteter Halbleiteroberflächen. Die Häufigkeit und die mittlere Größe der Spaltbruchflächen korrelieren mit der Eindringtiefe von Mikrorissen und sind somit ein Maß zur Beurteilung der Oberfächenstörschicht.

Zur Charakterisierung der Oberflächen werden die eindimensionalen statistischen Topografieparameter Spaltbruchanteil und mittlere Spaltbruchlänge definiert. Es wird gezeigt, daß sich mit Hilfe des streulichtoptischen Defektmodells diese Parameter aus gemessenen Streulichtverteilungen ableiten lassen. In Anlehnung an die Wavelet-Theorie ermöglicht das Defektmodell eine bandbegrenzte Multiskalenanalyse der Streulicht-Verteilung.

Basierend auf dem skalaren Kirchhoffschen Beugungsmodell wird eine modell-angepaßte inverse Lösung der Streutheorie vorgestellt. Ausgewählte Beispiele veranschaulichen die Gültigkeitskriterien und Grenzen des Verfahrens.