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FG Festkörperelektronik



Ansprechpartnerin

apl. Prof. Dr.- Ing. Susanne Scheinert

Fachgebietsleiter (k)

Telefon +49 3677 69-3714

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INHALTE

Fachgebiet Festkörperelektronik

Herzlich willkommen im Fachgebiet Festkörperelektronik

Das FG Festkörperelektronik beschäftigt sich in der Forschung mit der Herstellung, messtechnischen Charakterisierung, Simulation und Optimierung von Halbleiterbauelementen und Schaltkreisen.

Polymerlösung
Polymerlösungen

In der Gruppe Polymerelektronik stehen organische Transistoren im Vordergrund der Untersuchungen. Die Forschungen konzentrieren sich hier auf die kostengünstige Präparation dieser Strukturen und deren messtechnischen Charakterisierung. Die Optimierung der elektrischen Eigenschaften dieser Bauelemente erfolgt durch die enge Verknüpfung von Simulation und experimentellen Ergebnissen.

IGBT-Gatetreiber in 600V-CMOS-SOI_Technologie
IGBT-Gatetreiber in 600V-CMOS-SOI-Technologie

Neben den Untersuchungen von diskreten und integrierten Hochspannungs- bzw. Leistungsbauelementen stehen in der Gruppe Leistungselektronische Bauelemente & Schaltungen der Entwurf und die Charakterisierung von Smart Power IC's und die Systemintegration auf der Basis von Advanced-CMOS- und SOI-Technologien im Vordergrund.

Simulierte Elektronenverteilung in einem Si-Nanowire Transistor
Simulierte Elektronenverteilung in einem Si-Nanowire Transistor

Mit der Entwicklung von neuartigen Transistorkonzepten für die Höchstfrequenz- und Nanoelektronik beschäftigt sich die Gruppe RF & Nanobauelemente. Insbesondere konzentrieren sich die Forschungen hier auf zweidimensionale Materialien wie Graphen und Molybdänsulfid und ihre Anwendung in Transistoren sowie auf Si Nanometer MOSFETs, AlGaN/GaN HEMTs und InN-Transistoren.

In der Lehre wird einerseits die Basis für das grundlegende Verständnis von Halbleiterbauelementen gelegt. Andererseits spiegeln sich die Forschungsschwerpunkte in den Inhalten der Lehre höherer Semester wider.