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Ansprechpartner

Prof. Hannes Töpfer

Dekan

Telefon +49 3677 69-2843

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INHALTE

Herzlich Willkommen an der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

Profil der Fakultät

Die Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik...

Wir bilden hochqualifizierte und verantwortungsbewusste Ingenieurinnen und Ingenieure aus, die einen exzellenten Ruf auf dem Arbeitsmarkt haben. In unseren Studiengängen legen wir Wert auf ein breit angelegtes Grundlagenwissen sowie darauf aufbauende, flexibel wählbare und topaktuelle Spezialisierungen. Unsere Studierenden werden ermutigt, frühzeitig in der aktuellen Forschung mitzuwirken und profitieren von unserer persönlichen und umfassenden Begleitung von Beginn an.

Promotion/Habilitation

Sie möchten bei uns promovieren oder habilitieren?
Informieren Sie sich.

Themen für Promotionen und Habilitationen finden Sie auch auf den Seiten der Institute und Fachgebiete
unserer Fakultät.

Aktuelle Verfahren

Herr M. Eng. Andreas Hopf

Die wiss. Aussprache (öffentlicher Teil) im

Promotionsverfahren von
Herrn M. Eng. Andreas Hopf

findet
Donnerstag, den 12. Dezember 2019,

um 15:30 Uhr im Kirchhoffbau Raum K 2001 statt.

Thema: Elektrische Festigkeit von SF6 und alternativen Isoliergasen (Luft, CO2, N2, O2 und C3F7CN-Gemisch) bis 2,6 MPa

Einladung [PDF]

Herr M. Sc. Stefano Dallorto

Die wiss. Aussprache (öffentlicher Teil) im

Promotionsverfahrens von
Herrn M. Sc. Stefano Dallorto

findet
Mittwoch, den 18. Dezember 2019,

um 14:00 Uhr im Zusebau Raum 2073 statt.

Thema: Enabling control of matter at the atomic level: Atomic Layer Deposition and Fluorocarbon-based Atomic Layer etching

Einladung [PDF]

Frau M. Eng. Isabell Wirth

Die wiss. Aussprache (öffentlicher Teil) im

Promotionsverfahren von
Frau M. Eng. Isabell Wirth

findet
Donnerstag, den 19. Dezember 2019,

um 11:00 Uhr im Kirchhoffbau Raum K 2001 statt.

Thema: Berücksichtigung dielektrischer Materialeigenschaften in der Finiten-Elemente Simulation von HGÜ-Isoliersystemen

Einladung [PDF]

Frau M. Sc. Hongmei Wang

Die wiss. Aussprache (öffentlicher Teil) im

Promotionsverfahren von Frau M. Sc. Hongmei Wang

findet
Freitag, den 20. Dezember 2019,

um 11:00 Uhr im Feynmanbau Raum ZMN 114/115 statt.

Thema: Hydrogen and Nitrogen Plasma Treated Materials with Disordered Surface Layer Used for Energy Storage and Conversion Devices

Einladung [PDF]

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