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PD Dr.-Ing.Reinhard Herzer

Lehrbeauftragter/ Arbeitsgruppenleiter

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INHALTE

Forschung

Forschungsthemen der Arbeitsgruppe Leistungselektronsiche Bauelemente & -Schaltkreise

AREITSGEBIETE

1. Moderne Leistungsbauelemente

  • Trench-MOSFET für 20V-150V:

Zelloptimierungen mittels Devicesimulationen, statische und dynamische Charakterisierung, Optimierung der internen FWD Technologische Realisierung (Foundry)

  • Trench-IGBT für 600V – 3500V:

Zell- und Randstrukturoptimierungen mittels Devicesimulationen,
technologische Realisierung (Foundry), statische und dynamische Charakterisierung,

  • Freilaufdioden für 600V- 3500V:

Optimierung der Vertikal- und Randstruktur mittels Devicesimulationen, technologische Realisierung (Foundry), physikalische Untersuchungen zu Lebensdauerzentren (Parameterermittlung, Einbeziehung in die Devicesimulation)

2. Smart Power - IC

Auf der Basis eines umfangreichen Designframeworks und langjähriger Erfahrung werden neue integrierte Bauelemente, Schaltungstopologien und Demonstratoren von intergrierten Schaltungen entwickelt.
Folgende Technologien, insbesondere für den Mixed-Signal-Entwurf, stehen bei exzellenten Foundry-Partnern zur Verfügung und sind durch entsprechende Bibliotheken untersetzt:

  • verschiedene CMOS-Technologien von 0.5-1.5µm mit einem großen Umfang an optionalen Prozessen (n-Kanal und p-Kanal Hochvolt (120V),
  • mehrfach Poly-Si, mehrfach Metall, RAM, ROM, EEPROM etc.)
  • BiCMOS-Technologie 0.8µm
  • Bipolar-Prozesse bis 90V
  • BCD-MOS-Prozeß bis 90V (optional 700V)
  • SOI-Prozeß bis 800V und Einsatztemperaturen bis 200°C.

Realisierte Bauelemente und Schaltungen können mit geeigneter Messtechnik on-wafer oder im Gehäuse statisch und dynamisch charakterisiert werden.

3. Weitere Arbeitsgebiete

Modellbildung für Bauelemente und SPICE-Parameterextraktion

  • Entwicklung von Sensoren (z.B.Temperatur, Strom) und Sensor-Auswerteschaltungen (ICs)
  • Zuverlässigkeit von Leistungsbauelementen und -systemen