Publications

Results: 622
Created on: Thu, 18 Apr 2024 23:11:47 +0200 in 0.0745 sec


Bartsch, Heike; Bača, Martin; Fernekorn, Uta; Himmerlich, Marcel; Müller, Jens; Schober, Andreas; Witte, Hartmut
Multilayer ceramics as integration platform for sensors in in-vitro cell culture reactors. - In: Advanced materials letters, Bd. 9 (2018), 11, S. 748-752

https://doi.org/10.5185/amlett.2018.2090
Budde, Melanie; Tschammer, Carsten; Berthold, Theresa; Himmerlich, Marcel; Krischok, Stefan; Bierwagen, Oliver
Surface hole accumulation layer in NiO created by oxygen plasma treatment. - In: Joint Meeting of the DPG and EPS Condensed Matter Divisions together with the Statistical and Nonlinear Physics Division of the EPS and the Working Groups: Equal Opportunities, Industry and Business, Young DPG, Philosophy of Physics, (all DPG) EPS Young Minds, EPS History of Physics Group, (2018), DS 3.14

Himmerlich, Marcel; Berthold, Theresa; Michel, Jonas; Katzer, Simeon; Krischok, Stefan
Indium oxide and its surface electrons - a model system to study gas interaction and metal/semiconductor junctions. - In: Joint Meeting of the DPG and EPS Condensed Matter Divisions together with the Statistical and Nonlinear Physics Division of the EPS and the Working Groups: Equal Opportunities, Industry and Business, Young DPG, Philosophy of Physics, (all DPG) EPS Young Minds, EPS History of Physics Group, (2018), DS 13.3

Fluhr, Daniel; Seeland, Marco; Muhsin, Burhan; Krischok, Stefan; Hoppe, Harald
Defect patterns of thin film PV devices: imaging experiments vs. electric circuit simulations. - In: Joint Meeting of the DPG and EPS Condensed Matter Divisions together with the Statistical and Nonlinear Physics Division of the EPS and the Working Groups: Equal Opportunities, Industry and Business, Young DPG, Philosophy of Physics, (all DPG) EPS Young Minds, EPS History of Physics Group, (2018), HL 45.8

Papadogianni, Alexandra; Rombach, Julius; Berthold, Theresa; Krischok, Stefan; Himmerlich, Marcel; Bierwagen, Oliver
Modulation of the In2O3 surface electron transport properties by acceptor doping. - In: Joint Meeting of the DPG and EPS Condensed Matter Divisions together with the Statistical and Nonlinear Physics Division of the EPS and the Working Groups: Equal Opportunities, Industry and Business, Young DPG, Philosophy of Physics, (all DPG) EPS Young Minds, EPS History of Physics Group, (2018), DS 3.7
Im Titel sind "2" und "3" tiefgestellt

Shokhovets, Sviatoslav; Supplie, Oliver; Koppka, Christian; Krischok, Stefan; Hannappel, Thomas
Optical constants and origin of the absorption edge of GaPN lattice-matched to Si. - In: Physical review, ISSN 2469-9969, Bd. 98 (2018), 7, S. 075205, insges. 11 S.

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.075205
Berthold, Theresa;
Gaswechselwirkungsreaktionen mit Indiumoxidschichten und deren Einfluss auf die elektronischen Oberflächeneigenschaften. - Ilmenau : Universitätsbibliothek, 2018. - 1 Online-Ressource (IV, 135 Seiten)
Technische Universität Ilmenau, Dissertation 2018

Die durch die Anwendung von Indiumoxid (In2O3) als Gassensor motivierte Arbeit fokussiert sich auf die Untersuchung von Gaswechselwirkungen mit der In2O3 Oberfläche. Das Hauptaugenmerk liegt auf der Erstellung eines Modells der Gaswechselwirkung solcher Sensoren. Daher wurde ein System reduzierter Komplexität von einkristallinen und texturierten Proben untersucht, im Gegensatz zu den sonst in der Sensorik üblichen polykristallinen Schichten. Die Charakterisierung der Gaswechselwirkung erfolgte durch in Echtzeit-Widerstandsmessungen sowie in situ Photoelektronenspektroskopie (XPS und UPS) nach der Gasadsorption bzw. -desorption. Die Kombination beider Messmethoden ermöglicht die Korrelation des Sensorkennwerts (Widerstandsänderung) mit der Änderung der elektronischen Oberflächeneigenschaften, wie Austrittsarbeit, Oberflächenbandverbiegung oder Oberflächenladungsträgerkonzentration. Über die Substratwahl (Y-stabilisiertes Zirkonoxid oder Aluminiumoxid) wurde die Kristallinität und Orientierung der Indiumoxidschichten, gewachsen mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie (PAMBE), eingestellt. Im Initialzustand weisen alle untersuchten Proben eine Oberflächenelektronenakkumulation auf. Diese kann durch das Dotieren des In2O3 mit Elektronenakzeptoren (Mg oder Ni) leicht gesenkt werden. Die Gaswechselwirkungsexperimente erfolgten an mittels PAMBE hergestellten nominell undotierten In2O3 Schichten. Untersucht wurde zunächst die Reaktion der Indiumoxidoberfläche mit reaktivem Sauerstoff in Form eines Sauerstoffplasmas. Das Sauerstoffplasma führt zu einer Bedeckung der Oberfläche mit Sauerstoffadsorbaten von 0,7 bis 1,0 Monolagen, bei gleichzeitiger Verarmung der Oberflächenelektronenakkumulation. Die Wechselwirkungen der oxidierend wirkenden, untersuchten Gase (Sauerstoff, Ozon, Stickstoffmonoxid) mit der Indiumoxidoberfläche zeigen tendenziell gleiche Effekte auf die chemischen und elektronischen Oberflächeneigenschaften, jedoch deutlich schwächer ausgeprägt. So wird eine deutlich geringere Bedeckung der Oberfläche mit sauerstoffhaltigen Adsorbaten erreicht und die Oberflächenelektronen werden nicht vollständig verarmt. Bei diesen Experimenten konnte eine qualitative Korrelation der Oberflächenelektronenkonzentration und der Schichtleitfähigkeit des In2O3 beobachtet werden.



http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:ilm1-2018000296
Ciammaruchi, Laura; Oliveira, Ricardo; Charas, Ana; ; Hauff, Elizabeth von; Polino, Giuseppina; Brunetti, Francesca; Hansson, Rickard; Moons, Ellen; Krassas, Miron; Kakavelakis, George; Kymakis, Emmanuel; Sánchez, José G.; Ferre-Borrull, Josep; Marsal, Lluis F.; Züfle, Simon; Fluhr, Daniel
Stability of organic solar cells with PCDTBT donor polymer: an interlaboratory study. - In: Journal of materials research, ISSN 2044-5326, Bd. 33 (2018), 13, S. 1909-1924

https://doi.org/10.1557/jmr.2018.163
Berthold, Theresa; Katzer, Simeon; Rombach, Julius; Krischok, Stefan; Bierwagen, Oliver; Himmerlich, Marcel
Towards understanding the cross-sensitivity of In2O3 based ozone sensors: effects of O3, O2 and H2O adsorption at In2O3(111) surfaces. - In: Physica status solidi, ISSN 1521-3951, Volume 255 (2018), issue 4, 1700324, Seite 1-8
Im Titel sind "2" und "3" tiefgestellt

https://doi.org/10.1002/pssb.201700324
Irkha, Vladimir; Himmerlich, Anja; Reiß, Stephanie; Krischok, Stefan; Himmerlich, Marcel
Effects of potassium adsorption and potassium-water coadsorption on the chemical and electronic properties of n-type GaN(0001) surfaces. - In: The journal of physical chemistry, ISSN 1932-7455, Bd. 122 (2018), 8, S. 4250-4260

https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.7b09512

Theses

Results: 124
Created on: Thu, 18 Apr 2024 23:11:52 +0200 in 0.0405 sec


Schmidt, Florian;
Überwachung des Spulenzwischenraums bei der kontaktlosen Energieübertragung. - 90 S. Ilmenau : Techn. Univ., Bachelor-Arbeit, 2011

Stärker als je zuvor steht die Elektromobilität sowohl im politischen als auch im wirtschaftlichen Mittelpunkt und nimmt damit eine wichtige Rolle in der Forschung und Entwicklung der Automobilhersteller ein. Nicht nur die Entwicklung von Elektrofahrzeugen sondern auch die Frage nach geeigneten Ladekonzepten und einer Ladeinfrastruktur muss in diesem Zusammenhang untersucht werden. Neben dem kabelgebundenen Laden wird eine zweite Strategie der Energieübertragung verfolgt, das kabellose, induktive Laden. Die große Herausforderung besteht darin, den Prozess des kabellosen Ladens so sicher und frei von Gefahren zu gestalten, dass einem Einsatz im öffentlichen Raum nichts mehr im Wege steht. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Untersuchung einer Sensorik zur Detektion sich erwärmender Metallgegenstände im Spulenzwischenraum bei der kontaktlosen Energieübertragung. Zu Beginn wird ein Einblick in die theoretischen Grundlagen der Erwärmung, der Infrarotstrahlung und der Infrarotstrahlungstemperaturmessung gegeben. Im Anschluss daran wird die Eignung der Infrarotsensorik zur Überwachung des induktiven Ladevorgangs untersucht. Aufgabe der Sensorik ist die Erkennung sich erwärmender Gegenstände auf Basis von Infrarotstrahlungsdetektion. Die Experimente zeigen, dass sich viele theoretische Ansätze praktisch anwenden lassen. Dazu werden Wärmebilder aufgenommen und ausgewertet. Anschließend erfolgt eine übersichtliche Ergebnisdarstellung in Wort und Bild. Die Arbeit liefert damit einen wesentlichen Beitrag zur Untersuchung der Sicherheit des Ladekonzeptes und zur Findung eines möglichen Sensorsystems zur Überwachung des Spulenzwischenraums.



Herrmann, Felix;
Untersuchung der Absorption unterhalb der Bandkante von Polymer-Fulleren-Schichten. - 93 S. Ilmenau : Techn. Univ., Diplomarbeit, 2011

Die Bestimmung der Zustände innerhalb der Bandkante von Polymer/Fulleren Solarzellen (P3HT/PCBM) ist für die Erforschung der zu Grunde liegenden Prozesse der Absorption, Exzitonentrennung und des Ladungsträgertransports von großer Bedeutung. Insbesondere Trap-Zustände und Chargetransfer-Übergänge geben einen tieferen Einblick. Um die typischerweise sehr kleine Absorption unterhalb der Bandkante untersuchen zu können, wurde die photothermische Ablenkungsspektroskopie in Verbindung mit ellipsometrischen Messungen an der TU Ilmenau etabliert. Zusätzlich lieferten noch hoch auflösende EQE-Messungen Anhaltspunkte über die Zustände, welche Zustände in der Bandlücke zum Photostrom beitragen. Nach Grundlegenden Messungen der Mischschichten aus P3HT und PCBM wurde die Absorption in der Bandlücke mittels verschiedener Additive gezielt variiert und ausgewertet.



Köhler, René;
Der Einfluß von reaktiv DC gesputtertem aluminiumdotierten ZnO auf die Grenzflächeneigenschaften in ZnO:Al/a-Si:H/c-Si-Solarzellstrukturen. - 85 S. Ilmenau : Techn. Univ., Diplomarbeit, 2010

Amorph/kristalline (a-Si:H/c-Si) Heteroübergang-Solarzellen besitzen das Potential eines sehr hohen Umwandlungswirkungsgrads. Das Passiviervermögen der a-Si:H/c-Si-Grenzfläche hat dabei entscheidenden Einfluß. Aber das Zellkonzept bedingt die Deposition einer transparenten und leitfähigen Oxidschicht (z.B. ZnO:Al) auf den Emitter. Das Ziel dieser Arbeit ist den Einfluß der ZnO:Al Deposition mittels reaktivem DC Magnetron Sputtern auf die a-Si:H/c-Si Grenzflächeneigenschaften zu untersuchen. Dazu gehören die Betrachtung der Passiviereigenschaften und der Elektrostatik. Es wurde Probenserie verschiedener intrinsischer a-Si:H Schichten präpariert und die a-Si:H(i)/c-Si(p)-Grenflächenpassivierung kontaktlos und zerstörungsfrei vor und nach dem Sputterprozess mittels sehr empfindlicher elektrischer Methoden gemessen. Eine a-Si:H(i)/c-Si(p) Grenzflächenschädigung bei geringen a-Si:H(i)-Schichtdicken konnte beobachtet werden. Der Grund ist die Formation von negativen Sauerstoffionen im Sputterplasma, welche auf das a-Si:H(i)/c-Si(p)-Substrat mit hoher kinetischer Energie auftreffen. Die Implantationstiefe bzw. dei kritische a-Si:H(i)-Schichtdicke wurden mittels Monte-Carlo-Simulation bestätigt.



Kühnlenz, Florian;
Struktur-Eigenschafts-Zusammenhang von Anthracen-haltigen PPE-PPV-Copolymeren mit systematisch variierter Seitenkettenstruktur in Polymer-Solarzellen. - 63 S. : Ilmenau, Techn. Univ., Diplomarbeit, 2010

Durch den steigenden Energiehunger der Menschheit und die fortschreitende Verbreitung von mobilen elektrischen Anwendungen steht die Polymere Solarzelle seit einigen Jahren im Interesse der Forschung. Sie verspricht gegenüber der anorganischen Solarzelle Vorteile bei Gewicht, Dicke, Kombination mit flexiblen Substraten und deutlich geringe Herstellungskosten. Diese Arbeit beschäftigt sich mit der systematisch variierten Seitenkettensubstitution an der der Hauptkette eines PPE(Poly(Phenylen-Ethinylen))-PPV(Poly(Phenylen-Vinylen) -Copolymers. Es konnte gezeigt werden, dass die Seitenkettensubstitution von konjugierten Polymeren einen großen Einfluss auf ihre strukturellen und optoelektronischen Eigenschaften hat. So führten lineare Seitenketten an der Anthracen-haltigen Phenylen-Vinylen-Gruppe zu einer größeren Ordnung der sekundären und tertiären Polymerstruktur im Vergleich zu verzweigten Seitenketten. Diese Ordnung konnte mit Hilfe von Röntgenstrukturanalyse an Polymerpuvler und des Absorptionsspektrums sowie der Oberflächenmorphologie von Polymerfilmen nachgewiesen werden, und hatte gleichzeitig auch einen deutlichen Einfluss auf die photovoltaischen Eigenschaften. So wurde in dieser Arbeit klar dargestellt, dass diese Ordnung zu größeren Photoströmen und Füllfaktoren führt. Das von Dr. Daniel Egbe neue Konzept eines statistisch substituierten Polymers führte interessanterweise unter allen betrachteten Polymeren dieser Familie zur Ausbildung der höchsten Kristallinität. Mit diesem Polymer konnte eine Solarzelle mit 3.8% Wirkungsgrad realisiert werden, was nach derzeitigem Kenntnisstand die bisher höchste Effizienz einer PPV-basierten Polymer-Solarzelle darstellt. Zusätzlich zum Einfluss der Seitenketten auf die Morphologie bzw. Ordnung der Polymere, konnte ein Zusammenhang zwischen der Seitenkettenlänge und der erreichten offenen Klemmenspannung in einer bulk-heterojunction Solarzelle erneut verifiziert werden. Die erzielte Photospannung verhielt sich anti-proportional zu der Seitenkettenlänge am PPE-PPV-Copolymer. Somit konnten im Rahmen dieser Arbeit verschiedene eindeutige Struktur-Eigenschafts-Zusammenhänge zwischen der chemischen Struktur der Polymere - hier insbesondere der Struktur der Seitenketten - und der optischen, strukturellen und morphologischen Eigenschaften von photoaktiven Schichten in Solarzellen nachgewiesen werden. Diese Erkenntnisse können in Zukunft für die noch gezieltere synthetische Einstellung von Polymereigenschaften von weiterentwickelten Polymeren für die Anwendung in Solarzellen genutzt werden



Heinrich, Gerrit;
Lokale Laserablation von Siliziumnitrid auf kristallinen Silizium-Solarwafern und Erzeugung eines Nickel-Seedlayers. - 95 S. Ilmenau : Techn. Univ., Masterarbeit, 2010

In dieser Arbeit wurde mit Ultrakurzpuls-Laser mit unterschiedlichen Laserparametern die Siliziumnitrid-Antireflexionsschicht (a-SiNx:H) von texturierten, damage-geätzten und polierten Siliziumsolarwafern lokal in Form von Teststrukturen geöffnet. Anschließend wurde ein Nickel-Seedlayer erzeugt. Dafür wurden zwei außenstromlos-arbeitende Bäder verglichen. Zur Kontaktformierung wurde in einem weiteren Prozessschritt bei unterschiedlichen Temperaturen in einem Ofen ein Nickelsilizid ausgebildet. Aus Demonstrationszwecken wurde auf dem getemperten Nickel-Seedlayer galvanisch Kupfer und Zinn abgeschieden. Die Schwerpunkte der Arbeit lagen in einer Optimierung der Laser- (Fluenz, Repetitionsfrequenz, Fokus, Strahl-Aufweitung), Nickelabscheide- (Zeit, Temperatur, pH-Wert, Stabilisatorgehalt, Dekapierung) und Temperparameter (Temperatur, Zeit). Hierbei sollten die Laserparameter so eingestellt werden, dass eine möglichst schädigungsfreie Ablation der Siliziumnitrid-Antireflexionsschicht für das unterliegende Substrat mit einem hochdotierten Emitter möglich ist. Die Badparameter und die Vorbehandlungsschritte sollten so angepasst werden, dass mit einer hohen Abscheidungsgeschwindigkeit eine reproduzierbare homogene Nickelschicht mit geringen Leitungswiderständen abgeschieden werden konnte. Bei den Temperparametern sollte ein möglichst geringer Kontaktwiderstand erzeugt werden, bei dem der Emitter nicht geschädigt werden sollte



Rißland, Sven;
Herstellung und Charakterisierung transparent leitfähiger ZnO:Al-Schichten auf PET und deren Co-Dotierung mit Indium. - 73 S. Ilmenau : Techn. Univ., Masterarbeit, 2010

Transparent leitfähige Oxide finden vor allem in der Optoelektronik vermehrt Anwendung und verbreiten sich spätestens seit der Entwicklung von LCD-Flachbildschirmen weltweit. Dabei wird heutzutage aufgrund der exzellenten elektrischen Eigenschaften vor allem zinndotiertes Indiumoxid (ITO) eingesetzt. Wegen der begrenzten Verfügbarkeit des Metalls Indium wird jedoch seit einiger Zeit an aluminiumdotiertem Zinkoxid (ZnO:Al) als Alternativmaterial geforscht. Im Rahmen dieser Masterarbeit wurde dotiertes Zinkoxid mit Hilfe eines reaktiven Sputterprozesses in einer Rolle-zu-Rolle Laborbeschichtungsanlage am Fraunhofer-Institut für Elektronenstrahl- und Plasmatechnik in Dresden auf PET-Folie abgeschieden. Dabei wurden zwei Themenkomplexe bearbeitet: Zunächst wurde die Schichtabscheidung von ZnO:Al vor allem hinsichtlich Sauerstofffluss, Druck, Leistung und Schichtdicke optimiert, wobei die optischen und elektronischen Eigenschaften im Fokus der Betrachtungen standen. Es konnte unter anderem nachgewiesen werden, dass vor allem bezüglich des Sauerstoffflusses nur ein sehr enges Prozessfenster zu Verfügung steht. In einem zweiten Versuchskomplex wurde das System zusätzlich mit Indium codotiert, um eine weitere Verbesserung der elektronischen Eigenschaften zu erreichen. Dabei wurde ein Rückgang der Streuung an den Korngrenzen mit steigendem Indiumgehalt festgestellt, jedoch ergab sich keine Steigerung der elektrischen Leitfähigkeit um eine gesamte Größenordnung, wie es nach Kirby und van Dover (Thin Solid Films 517, 1958 (2009)) zu erwarten war. Insgesamt wurden durch ein anwendungsnahes Rolle-zu-Rolle-Verfahren Schichten mit einem spezifischen Widerstand von 2,8 x 10-3 Ohm cm und einer Transparenz von 80,2 % abgeschieden. Diese Schichteigenschaften sind mit bereits veröffentlichten Werten aus stationären Laborbeschichtungen vergleichbar und verdeutlichen das Potenzial von ZnO:Al auf polymeren Substraten.



Fiedler, Jan;
Gallium implantiertes Silizium mit metallischer Leitfähigkeit. - 69 S. Ilmenau : Techn. Univ., Masterarbeit, 2010

Für komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter (CMOS) Bauelemente müssen Halbleiterschichten mit niedrigen Widerständen hergestellt werden. Die dafür notwendigen Dotierkonzentrationen liegen oberhalb des Metall-Isolator-Übergangs. Die Supraleitfähigkeit hochdotierter Halbleiter ist ebenfalls von zunehmendem Interesse. Über das Verhalten von Gallium dotiertem Silizium ist jedoch nur wenig bekannt. Es wurden mit hohen Galliumdosen durch eine SiO2 Schutzschicht implantierte Siliziumproben untersucht. Die Struktur der dünnen Schichten und die Umverteilung des Galliums nach Kurzzeitausheilung wurde mit Rutherford Rückstreuspektrometrie und Transmissionselektronenmikroskopie analysiert. Abhängig von der Ausheiltemperatur kommt es zur Polykristallisation oder Festphasenepitaxie. Tieftemperatur Hall-Messungen (T > 2 K) dienen der elektrischen Charakterisierung und dem Nachweis von metallischem Widerstandsverhalten.



Bellmann, Konrad;
Compact wavelength shift detector for optical sensor read-out. - 60 S. Ilmenau : Techn. Univ., Diplomarbeit, 2010

Die vorliegende Diplomarbeit ist in zwei wesentliche Aufgaben unterteilt. Die erste Aufgabe besteht darin das Konzept eines Detektors für Wellenlängenveränderung, erfunden von PARC (Palo Alto Research Center in Kalifornien/USA), auf den nahen Infrarot Bereich bei 1550nm anzupassen und einen Laboraufbau zu realisieren. Im zweiten Teil wird die Entwicklung eines speziellen Prototyps beschrieben, welcher eine Wellenlängenauflösung kleiner eines Picometers über einen Wellenlängenbereich von 5nm hat. Für den Laboraufbau werden zu erst drei verschiedene handelsübliche linear ortsabhängige Transmissionsfilter charakterisiert und gegenübergestellt, wobei ein Filter für die späteren Messungen selektiert wird. Zur Simulation des Detektors ist ein Programm in Matlab 6.5 programmiert worden, welches den Einfluss der geometrischen Parameter des Detektors auf seine Funktionsweise verständlich macht. Darüber hinaus wird das Programm für die Optimierung des Filters zur Anpassung an den speziellen Wellenlängenbereich des Prototyps genutzt. Das Simulationsprogramm wird mit verschiedenen Umsetzungen des Detektors im Laboraufbau validiert. Für die eigentliche Messung von Wellenlängenänderungen wird ein Faser-Bragg-Gitter-Sensor ausgelesen, wobei eine Änderung von ˜30fm messbar ist. Zur Entwicklung des Prototyps ist ein spezieller Filter nach der Optimierung des Simulationsprogramms angefertigt worden. Die Auswahl aller weiteren Komponenten und die gegenseitige Anordnung sowie Justierung für die Herstellung wird beschrieben. Zuletzt wird der Prototyp charakterisiert und mit den gewünschten Spezifikationen verglichen, welche realisiert werden.



Nostheide, Benedikt;
Entwicklung eines Dünnschicht-Akkumulators auf Basis von Polymermaterialien. - 97 S. : Ilmenau, Techn. Univ., Diplomarbeit, 2010

Diese Diplomarbeit bietet eine theoretische Einführung in die Batterietechnik und liefert einen Überblick über die in einer Batterie ablaufenden Prozesse. Des Weiteren werden gängige Batteriesysteme, zum Beispiel Lithium-Ionen-Akkumulatoren, vorgestellt und ihre Funktionsweise wird erklärt. Anhand von während der Arbeit festgelegten Kriterien wird eine Auswahl an Materialien für den Aufbau eines Polymerakkumulators getroffen. Die als Elektrodenmaterialien verwendeten Polymere Polythiophen, Polypyrrol und Polyanilin werden mit Hilfe von Zyklovoltammetrie-Messungen auf ihr Redoxverhalten untersucht. Im Anschluß daran wird das geplante System unter Einsatz von Roll-to-Roll-Verfahren aufgebaut und mit konstanten Lade- und Entladeströmen charakterisiert.



Schubert, Andreas;
Bestimmung der Energieniveaus von Verunreinigungen in multi-kristallinem Silizium durch temperaturabhängige Carrier-Density-Imaging Messungen. - 100 S. : Ilmenau, Techn. Univ., Diplomarbeit, 2010

Diese Diplomarbeit wurde bei der Schott Solar AG, Alzenau angefertigt. Das Ziel der Arbeit war es, einen Carrier-Density-Imaging (CDI) Messplatz aufzubauen und über eine temperaturabhängige Lebensdauermessung die Energieniveautiefen von Defekten zu bestimmen. Für diese Messungen wurde in der vorliegenden Arbeit erstmals ein CDI Messplatz pixelweise kalibriert, was eine wesentliche Vereinfachung und eine deutliche Zeitersparnis im Vergleich zur bisher in der Literatur vorgeschlagenen Kalibrierung nach J. Isenberg bedeutet. Vor allem bei wechselnden Umgebungsbedingungen kann somit schnell eine neue Kalibrierung durchgeführt werden. Auch wurde gezeigt werden, dass das CDI Messwerte liefert, welche vergleichbar mit den Werten der MWPCD sind. Der Unterschied liegt vor allem in der Messzeit und in der Ortsauflösung. Mit dem CDI, das vergleichbare Ortsauflösungen wie das MWPCD von etwa 50æm liefert, sind erheblich kürzeren Messzeiten möglich. Des Weiteren wird in der Arbeit dargestellt, dass die temperaturabhängigen Lebensdauern durch Defekte in bestimmten Temperaturbereichen exponentiell beeinflusst werden. Effekte, die zur Bildung der typischen temperaturabhängigen Lebensdauerkurve führen, werden erläutert und theoretisch hergeleitet. Mittels einer verfeinerten SRH-Theorie konnte in dieser Arbeit schließlich über den Anstieg im Arrheniusplot die Energieniveautiefe des vorhandenen Defektes bestimmt werden. Hierzu wurde eine Linearisierung nach Ling und Cheng durchgeführt. Die so ermittelten Energieniveautiefen der Eisenverunreinigung stimmen gut mit den angegebenen Werten aus der Literatur (0,39 eV) überein. Ein Problem der durchgeführten Messungen ist, das über Einzelmessungen nur Angaben über die Energieniveautiefe getroffen werden können, nicht jedoch über die Position des Defektniveaus in der oberen oder unteren Bandlückenhälfte. Auch kann keine Aussage über eine Konzentration von Defekten vorgenommen werden. Somit lässt sich nur zeigen, dass ein Defekt vorhanden ist, dies jedoch schon bei geringsten Konzentrationen, was eine solche Messung sehr wirkungsvoll macht. Man muss allerdings bedenken, dass nur der dominierende Defekt gemessen werden kann.