Arbeitspaket 3: III-V-freie Fenster-/Schutzschicht
In diesem Arbeitspaket geht es darum, spezielle Halbleitermaterialien, die als III-V-Halbleiter bekannt sind, mit schützenden Schichten zu kombinieren. Diese Schichten sollen kein Indium (In), Gallium (Ga) oder Arsen (As) enthalten und sowohl durchsichtig als auch elektrisch kompatibel sein. Abhängig von der Anordnung der Halbleiter wird diese Integration entweder flach oder in einer Kern-Hülle-Struktur durchgeführt. Für Anwendungen im Bereich der Wasserspaltung wird eine Metalloxid-Schicht aufgebracht. Dazu stehen Verfahren wie die Atomlagenabscheidung oder die physikalische Gasphasenabscheidung zur Verfügung.
Diese Beschichtungsverfahren müssen so angepasst werden, dass eine optimale Grenzfläche hinsichtlich optischer als auch elektrischer Eigenschaften zwischen aufgetragener Schicht und Halbleiter erzeugt wird. Die physikalischen und chemischen Schichtbildungsprozesse spielen hierbei eine entscheidende Rolle. Durch die Zusammenarbeit mit anderen Arbeitspaketen, insbesondere AP5, wird sichergestellt, dass das bereits vorhandene Wissen auf die spezifischen Herausforderungen bei den III-V-Halbleitern angewendet wird, um eine Reduktion und das Recycling der eingesetzten kritischen Elemente zu unterstützen.
