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INHALTE

Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten

Verfahren

Durchkontaktierte Leiterplatten werden im Leiterplattenlabor der TU Ilmenau nach dem Tenting-Verfahren hergestellt. Bei diesem Verfahren wird zunächst auf die CNC-gebohrte Leiterplatte elektrochemisch mittels Palladiumbad eine leitfähige Startschicht und unmittelbar folgend galvanisch eine ca. 20 µm dicke Cu-Schicht auf der gesamten Leiterplattenoberfläche abgeschieden. Nach dem Strukturieren des Leiterbildes wird die Leiterplatte geätzt. Nach dem Entfernen des Fotoresistes kann die Leiterplatte chemisch verzinnt werden.

Technologisch bedingte Maximalabmessungen

Gerät Maximale Verarbeitungsgröße (mm)
einschließlich technologischer Rand von 20 mm
Bohrmaschine560 x 420
Belichtungsgerät500 x 500
Laminator300 x unbegrenzt
chemische Bäder in der Naßstrecke400 x 400
Ätzmaschine340 x unbegrenz

Leiterplattenmaterial

MaterialartDicke des Basismaterials (mm)Dicke der Cu-Folie (µm)
FR 40.518 - 18
FR 41.018 - 18
FR 41.518 - 18

Auf Wunsch ist nach Absprache auch die Verarbeitung von Kundenmaterial bzw. anderer Basismaterialien möglich. Dabei ist zu beachten, daß der Zuschnitt zusätzlich zur Nettogröße der Leiterplatte einen technologischen Rand von mind. 20 mm an allen Seiten besitzen muß.

Die minimale Netto-Verarbeitungsgröße ist 160 mm x 100 mm.

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