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INHALTE

Herstellung von nichtdurchkontaktierten Leiterplatten

Verfahren

Nichtdurchkontaktierte Leiterplatten werden im Leiterplattenlabor der TU Ilmenau nach dem Subtraktivtechnik-Verfahren hergestellt. Beim Positivverfahren werden die Cu-Flächen des Basismaterials, die nach dem Ätzen erhalten bleiben sollen, mittels eines fototechnischen Verfahrens mit einer Fotoresistschicht abgedeckt. Nach dem vollständigen Ätzen der Platine wird der Ätzresist wieder entfernt.

Technologisch bedingte Maximalabmessungen

Gerät Maximale Verarbeitungsgröße (mm)
einschließlich technologischer Rand von 20 mm
Belichtungsgerät500 x 500
Ätzbad340 x 300

Leiterplattenmaterial

MaterialartDicke des Basismaterials (mm)Dicke der Cu-Folie (µm)
FR 40.535 - 00
FR 41.035 - 00
FR 41.535 - 00
FR 40.535 - 35
FR 41.035 - 35
FR 41.535 - 35
FR 40.518 - 00
FR 41.018 - 00
FR 41.518 - 00
FR 40.518 - 18
FR 41.018 - 18
FR 41.518 - 18

 

Auf Wunsch ist nach Absprache auch die Verarbeitung von Kundenmaterial bzw. anderer Basismaterialien möglich. Dabei ist zu beachten, daß der Zuschnitt zusätzlich zur Nettogröße der Leiterplatte einen technologischen Rand von mind. 20 mm an allen Seiten besitzen muß.

Die minimale Netto-Verarbeitungsgröße ist 160 mm x 100 mm.

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