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Die vorgelegte Arbeit stellt vier Verfahren für die Regelung der Umrichterströme einer doppelt-gespeisten Asynchronmaschine (DGASM) vor. Diese werden mit Hilfe von Simulationen mit Matlab/Simulink analysiert. Besondere Beachtung wird dabei dem Verhalten des Generators während unsymmetrischer Spannungseinbrüche im elektrischen Netz geschenkt. Die vorgestellten Regelungsverfahren haben zum Ziel Drehmoment- und Zwischenkreisspannungsschwingungen während solcher Fehlerfälle zu reduzieren und damit die zusätzlichen Belastungen des Systems zu verringern. Die feldorientierte Regelung (FOR) wird häufig zur Regelung von DGASMs in Windkraftanlagen eingesetzt und dient in dieser Arbeit als Vergleichsbasis. Die getrennte Regelung von Mit- und Gegensystemströmen in zwei entgegengesetzt rotierenden Koordinatensystemen wird im Rahmen der vorgelegten Arbeit als PN-Regelung (PNR) bezeichnet. Für diese Regelung werden vier PI-Regler verwendet. Im Gegensatz zur feldorientierten und zur PN-Regelung arbeitet die frequenzselektive Regelung (FSR) in einem ruhenden Koordinatensystem. In diesem werden die Umrichterströme als Wechselgrößen in alpha-beta-Komponenten geregelt. Die Kombination von frequenzselektiver und PN-Regelung ergibt die in dieser Arbeit als FS(PN)-Regelung bezeichnete Struktur, in der die Ströme ebenfalls in einem ruhenden Koordinatensystem als Wechselgrößen geregelt werden, wobei gezielt Sollwerte auch für die Gegensystemkomponenten vorgegeben werden. Sowohl theoretische Überlegungen als auch die durchgeführten Simulationen zeigen, dass die drei vorgeschlagenen alternativen Regelungsverfahren das Verhalten der DGASM während leichter Unsymmetrien verbessern können. Die möglichen Verbesserungen sind allerdings sowohl durch die vorhandene Hardware (Auslegung der Umrichter: maximal zulässige Ströme und Spannungen), durch die Regelungsverfahren selbst (zeitliche Verzögerungen durch die Berechnung der Mit- und Gegensystemkomponenten bei PN- und FS(PN)-Regelung) als auch durch Nichtlinearitäten des Systems (Sättigung der Hauptinduktivität der DGASM) begrenzt. Eine Anwendung der vorgestellten neuen Regelungsverfahren auf andere Probleme wie z.B. Photovoltaikwechselrichter oder Umrichter für Windkraftanlagen mit Vollumrichter erscheint dennoch vielversprechend.

Parasitäre Layouteinflüsse, die in integrierten Schaltungen (ICs) Leitungs- und Substratverkopplungen entsprechen, sind die Ursache dafür, dass bei einem definierten Schaltungsdesign die HF-Störfestigkeit einer Schaltung bei verschiedenen Layoutvarianten sehr stark variieren kann. Der Einfluss des Layouts wird in der vorliegenden Arbeit an grundlegenden analogen Schaltungen untersucht, die in Technologien mit Sperrschichtisolation und in einer Technologie mit partieller dielektrischer Isolation entwickelt werden. Anhand von identischen Schaltungsdesigns wird die HF-Störfestigkeit unterschiedlicher Layoutvarianten systematisch analysiert. Die Veränderungen im Layout betreffen die Anordnung der Komponenten, deren Verdrahtung und das Platzieren von Schutzstrukturen. Aus den Untersuchungsergebnissen geht hervor, dass die Einflussgrößen auf die HF-Störfestigkeit von Schaltungen, die durch Layoutparasiten verursacht werden, bestimmbar und skalierbar sind. Sie können mit analytischen Modellen präzise beschrieben werden. Es werden effektive Techniken vorgestellt, welche parasitäre Leitungs- und HF-Substratverkopplungen durch gezielte Modifikationen im Layout minimieren und dadurch eine deutliche Erhöhung der HF-Störfestigkeit integrierter Schaltungen bewirken. Die dargestellten Ergebnisse und Methoden beschreiben grundlegende Effekte und Mechanismen in integrierten Schaltungen. Sie beruhen auf dem Design, dem Layout, der HF-Klein- und Großsignalcharakterisierung und der Modellierung und Auswertung von mehr als 200 anlogen Schaltungen und Varianten. Eine Anwendung der erarbeiteten Techniken in die Konzeption von integrierten Schaltungen führt zu einer zielgerichteten Entwicklung und einer signifikanten Verbesserung der EMV-Performance von ICs.