Elektrische und strukturelle Eigenschaften von supraleitenden Schichten in Gallium-implantiertem Silizium und Germanium, 2013. - Online-Ressource (PDF-Datei: XVI, 110 S., 3,50 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2013
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Zielstellung der Dissertation ist die detaillierte Analyse der Auswirkungen von supraleitenden Galliumausscheidungen auf das elektrische Transportverhalten hochdotierter Silizium- und Germaniumschichten. Dafür wird ein neues Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Schichten in kommerziellen Silizium- und Germanium-Wafern mit Hilfe von Ionenimplantation und Kurzzeitausheilung entwickelt. Mittels Ionenimplantation durch eine dünne dielektrische Deckschicht wurden Galliumkonzentrationen weit über der Gleichgewichtslöslichkeit in die Silizium- und Germaniumsubstrate eingebracht. Kurzzeitausheilverfahren wurden verwendet, um die die Umverteilung des Galliums anzuregen. Die resultierende Galliumverteilung wurde analysiert und es konnte ein Modell entwickelt werden, welches die Ursache für die Ausbildung einer 10 nm dünnen Gallium-reichen Schichten an der Deckschicht/Halbleiter-Grenzfläche beschreibt. Übersteigt die Galliumkonzentration an der Grenzfläche den kritischen Wert von 15 at.%, können die Schichten bei Temperaturen unterhalb von 6 - 7 K supraleitend werden und zeigen damit eine ähnlich kritische Temperatur wie bereits untersuchte dünne amorphe Galliumfilme. Es wird somit erstmalig gezeigt, dass Gallium-reiche Ausscheidungen eine mit reinem Gallium vergleichbare kritische Temperatur haben. Der bisher häufig als Funktion der Schichtdicke erforschte Supraleiter-Isolator-Übergang konnte in den Schichten durch die Variation der Ausheilzeit hervorgerufen werden. Der normalleitende Schichtwiderstand ist als entscheidender Parameter für den Phasenübergang anzusehen. Da sich Gallium-reiche Ausscheidungen in Germanium wegen der geringen Differenz in Masse und Elektronenstruktur nur schwer nachweisen lassen, erfolgten die Strukturuntersuchungen hauptsächlich an Siliziumschichten. Die Ergebnisse dieses Modellsystems lassen sich zum großen Teil auf das Verhalten von Gallium in Germanium übertragen. Dieser Vergleich zeigt, dass außer der kritischen Temperatur alle elektrischen Eigenschaften der Gallium-reichen Schichten vom Substratmaterial abhängen. Supraleitung in Gallium-dotiertem Germanium wurde bisher nur bei Temperaturen unterhalb von 1 K beobachtet. Deshalb ist die kritische Temperatur ein geeigneter Parameter, um durch Dotierung hervorgerufene Supraleitung in Germanium von supraleitenden Ausscheidungen zu unterscheiden.
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Charakterisierung der elektronischen und chemischen Eigenschaften reiner polarer InN-Oberflächen und deren Beeinflussung durch Adsorbate, 2013. - Online-Ressource (PDF-Datei: IV, 165 S., 16,83 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2013
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Indiumnitrid (InN) gehört zu den III-V Halbleitern und ist durch seine geringe Bandlücke sowie seine guten Elektronentransporteigenschaften ein vielversprechender Kandidat für den Einsatz in ultraschnellen Transistoren und optoelektronischen Bauelementen. Dabei spielen neben den Volumeneigenschaften des Materials vor allem auch die Oberflächeneigenschaften eine entscheidende Rolle. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Charakterisierung der elektronischen und chemischen Oberflächeneigenschaften von reinem sowie adsorbatbedecktem, polarem InN. Die InN-Schichten wurden mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie (MBE) abgeschieden und in-situ anhand der Beugung hochenergetischer Elektronen (RHEED) sowie mittels Röntgen- und Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie (XPS, UPS) untersucht. Hierbei zeigten sich deutliche Unterschiede in den elektronischen Eigenschaften der polaren Oberflächen, die vor allem auf die unterschiedlichen atomaren Strukturen zurückgeführt werden konnten. So kommt es an der In-polaren InN-Oberfläche zur Ausbildung einer 2×2 Oberflächenrekonstruktion, die zu Oberflächenzuständen nahe des Ferminiveaus führen, welche zur Ausbildung einer starken Elektronenakkumulationsschicht an den InN(0001)-2×2 Oberflächen beitragen. Beim reinen N-polaren InN beobachtet man im Gegensatz dazu eine 1×1-Oberfläche mit besetzten Oberflächenzuständen nahe des Valenzbandminimums (bei ˜ 1,6 eV), verbunden mit einer deutlich reduzierten Oberflächenabwärtsbandverbiegung. Weiterhin wurden Veränderungen der InN-Oberflächen durch Adsorbatwechselwirkungen systematisch mittels UPS und XPS untersucht und dabei der Einfluss des Sauerstoffs und des Wassers als wichtige Bestandteile der Luft detailliert betrachtet. Die experimentellen Ergebnisse werden im Hinblick auf Informationen zur Anbindung der Adsorbatspezies, zur Dipolbildung sowie zur Beeinflussung der Oberflächenelektronen und damit der Oberflächenbandverbiegung der InN-Proben diskutiert. Dabei zeigt sich, dass Sauerstoff in atomarer Form an die InN-Oberflächen bindet und als Elektronenakzeptor zur Reduzierung der Abwärtsbandverbiegung an den In-polaren InN-Proben beiträgt bzw. kaum einen Einfluss auf die bereits reduzierte Bandverbiegung des N-polaren InN hat. Die Wechselwirkung mit Wasser führt dagegen bei beiden Polaritäten zu einer deutlich ausgeprägten Elektronenakkumulation.
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Correlation of charge transport with structural properties in poly3-hexylthiophene-polyperyleneacrylate block copolymers and its ilmplication on solar cell performance, 2013. - IX, 113 S. : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2013
Der Einsatz von Block-Copolymeren als einlagige Aktivschicht, bietet die Möglichkeit zur Konstruktion von hocheffizienten und thermodynamisch stabilen Polymersolarzellen. Die in Block-Copolymeren charakteristische Unmischbarkeit der zwei kovalent gebundenen Donor- und Akzeptor-Blöcke, ist verantwortlich für die Phasentrennung der beiden Komponenten und führt zu einer sich selbst organisierenden Morphologie im Nanometerbereich. Für einen effizienten Ladungstransport zu den Elektroden der Solarzelle, ist eine senkrechte Orientierung der Donor-und Akzeptor-Phasen grundsätzlich erwünscht. Demzufolge ist die Bewertung des morphologisch und im nanoskaligen Bereich liegenden Effekts der Phasenseparation in Block-Copolymeren auf den Ladungstransport und damit auf die Leistung der Solarzelle von entscheidender Bedeutung. In dieser Arbeit wurde ein Modell-Blockcopolymer, bestehend aus dem Donor-Block Poly (3-hexylthiophen) P3HT und dem Akzeptor-Block Poly (Perylenbisimid Acrylat) PPerAcr verwendet. Die Ladungstransporteigenschaften von reinem P3HT und PPerAcr, sowie die des Block-Copolymere (P3HT-b-PPerAcr) wurden in Abhängigkeit der Molekulargewichte, der Zusammensetzung und der Temperbedingungen untersucht. Die Ladungsträgerbeweglichkeit wurde unter Verwendung der Raumladungs begrenzten Stromstärkemessung (SCLC) und der Messung der Ladungs Extraktion bei linearem Ansteigen der Spannung (CELIV) gemessen. Intermolekulare Eigenschaften bezüglich Struktur und Morphologie wurden mittels Absorptionsspektroskopie, Photolumineszenzspektroskopie, Rasterkraftmikroskopie, Photoelektronenspektroskopie und Röntgenstreuung gemessen. Die gefertigten Solarzellen wurden mittels Strom-Spannungs- und spektraler Photostrommessungen charakterisiert. In der Studie über reine P3HT Filme, wird eine eindeutige Korrelation zwischen einem durch das Molekulargewicht bestimmten strukturellen Parameter, der langen Periodizität und einer elektronischen Eigenschaft, der Ladungsträgermobilität zum ersten Mal aufgezeigt. Das Verhalten der Ladungsmobilität auf einer logarithmischen Skala, war in hervorragender Übereinstimmung mit der experimentell ermittelten langen Periodizität der P3HT-Kristallite. In reinen Blockcopolymerfilmen wurde hinsichtlich der Ladungsträgerbeweglichkeit eine Größenordnung Unterschied für Löchern und Elektronen beobachtet. Um das Donor-Akzeptor-Verhältnis und die Domänen-Größen im Block-Copolymer zu optimieren, wurde ein reines Akzeptor-Polymer (PPerAcr) in unterschiedlichen Mengen mit dem Block-Copolymer gemischt. Als Effekt der Erhöhung des Akzeptorgehalts im Blockcopolymer /Homopolymergemisch, wurde ein kontinuierlicher Anstieg des Kurzschlussstroms und der Leerlaufspannung beobachtet, was zu einer insgesamt verbesserten Photovoltaikleistung führte. Schließlich wurden typische lamellenartige oder zylindrische Strukturen der Mikrophasenseparation, die von herkömmlichen amorphen Blockcopolymersystemen bereits bekannt sind, in Filmen realisiert. Es wird gezeigt, dass die realisierte Ausrichtung der Phasenkomponenten in den untersuchten Filmen nicht für vertikalen Ladungstransport geeignet ist und somit zu einer schlechten Leistung der Solarzelle führt. Die Ergebnisse dieser Studie zeigen, die Zusammenhänge zwischen den Ladungstransporteigenschaften und den Strukturen in einem Modell P3HT-b-PPerAcr Blockcopolymerfilmen auf und bieten eine Arbeitsgrundlage für die Herstellung der nächsten Generation an effizienten Blockcopolymer Solarzellen.
Laserkristallisierte multikristalline Silicium-Dünnschicht-Solarzellen auf Glas, 2013. - Online-Ressource (PDF-Datei: 136 Bl., 2,39 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2013
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Im Rahmen dieser Arbeit werden laserkristallisierte multikristalline Silicium-Dünnschicht-Solarzellen auf Glas weiterentwickelt. Die Laserkristallisation ermöglicht eine weltweit einzigartige Kristallqualität. Die Ziele der vorliegenden Arbeit sind, das physikalische Verständnis dieses Solarzellentyps zu erweitern und die photovoltaischen Eigenschaften zu verbessern. Dafür werden die Schicht- und Prozessparameter untersucht und optimiert. Präsentiert werden Ergebnisse zur (1) schichtweisen Laserkristallisation des Absorbers, (2) Verringerung der Keimschichtdicke, (3) Einführung einer Barriereschicht, (4) laserbasierten Herstellung der Emitter, (5) Strukturierung der Substratoberfläche, (6) Kontaktierung der Solarzellen, (7) schnelle thermische Ausheilung und Wasserstoff-Passivierung. Die I-V-Parameter von nur 2 mym dünnen Solarzellen erreichen Leerlaufspannungen bis 517 mV, Kurzschlussstromdichten bis 20,3 mA/cm2, Füllfaktoren bis 72% und Wirkungsgrade bis 4,2%.
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:ilm1-2013000305
Spektrallücken von indefiniten Sturm-Liouville-Operatoren, 2013. - Online-Ressource (PDF-Datei: XI, 67 S., 820,4 KB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2013
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In der Dissertationsschrift "Spektrallücken von indefiniten Sturm-Liouville-Operatoren" werden verschiedene Klassen von selbstadjungierten Operatoren und Relationen in indefiniten Innenprodukträumen betrachtet. Die Arbeit enthält zwei Hauptergebnisse: (A) Für lokal definisierbare Relationen wird gezeigt, dass die Endlichkeit der Anzahl der Eigenwerte in einer reellen Spektrallücke des essentiellen Spektrums unter endlichdimensionalen Störungen erhalten bleibt. (B) Für eine Unterklasse der lokal definisierbare Relationen, nämlich für Relationen mit endlich vielen negativen Quadraten, werden die Anzahl der Eigenwerte der gestörten Relation in einer reellen Spektrallücke des essentiellen Spektrums nach oben/unten durch die Anzahl der Eigenwerte derungestörten Relation und weiteren Korrekturgrößen abgeschätzt. Dabei werden hier nur eindimensionale Störungen betrachtet. Zudem gelingt der Nachweis, dass die in dieser Promotionsschrift vorgestellten Abschätzungen scharf sind.Diese abstrakten Ergebnisse aus dem ersten Teil der Arbeit werden im zweiten Teil auf Sturm-Liouville-Differentialoperatoren mit einer indefinitenGewichtsfunktion angewandt. In vielen Fällen werden die Abschätzungen leicht verbessert.
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=22550
Synthese und Funktionalisierung von Fulleren C 60 und seinen Derivaten für die Anwendung in biologischen Systemen, 2013. - Online-Ressource (PDF-Datei: V, 138 Bl., 1,87 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2013
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Die Modifizierung von C60 und seinen Derivaten mit polaren Seitenketten zur Verbesserung der Löslichkeit in polarem und vor allem wässrigem Medium ist für biologische und medizinische Anwendungen von entscheidender Bedeutung. Obwohl Fullerenderivate bereits in zahlreichen biologischen Systemen Anwendung gefunden haben, sind ihre Wechselwirkungsmechanismen mit biologischen Strukturen nahezu unbekannt. Die Funktionalisierung von Fullerenverbindungen mit Fluoreszenzfarbstoffen sollte daher einen Beitrag zur Aufklärung dieser Mechanismen leisten können. Zur Funktionalisierung wurden verschiedene Farbstoffe ausgewählt, die sich entweder von einer Fluorescein- oder einer Anilingrundstruktur ableiten. Die mit Amino- oder Isothiocyanatgruppen funktionalisierten Farbstoffe wurden mit Fullerencarbonsäuren und -Carbonsäurechloriden sowie Fulleropyrrolidinen unter Bildung der Farbstoff-funktionalisierten C60- und C70-Verbindungen umgesetzt. In ersten Untersuchungen mit einer Modellmembran zeigten die verschiedenen Farbstofffullerene sehr unterschiedliches Verhalten und interessante Fluoreszenzeigenschaften. Um die Anbindung von Farbstoffen zu ermöglichen, die nicht über Aminofunktionen verfügen, wurden verschiedene Synthesewege zur Einführung von Aminogruppen an der Fullerenoberfläche untersucht. Diese reichen von der Umsetzung mit aminofunktionalisierten Diazomethanen bis zur Anbindung von Diaminoglykolen. Mit der Funktionalisierung mit Diaminoglykolen wird die Hoffnung verbunden, Fullerenderivate synthetisieren zu können, die eine deutlich verbesserte Löslichkeit in polaren Medien oder sogar Wasser zeigen und zusätzlich durch Farbstoffe funktionalisiert werden können. Über diese Synthesemethode ließe sich eine Verbindungsklasse synthetisieren, die für biologische und medizinische Anwendungen enormes Potential besitzt.
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:ilm1-2013000263
Einfluss der Elektroden auf die Stabilität von Polymersolarzellen, 2013. - Online-Ressource (PDF-Datei: 120 S., 4,63 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2013
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Die organische Photovoltaik ist im Begriff zu einer marktwirtschaftlichen Konkurrenz zur etablierten anorganischen Dünnschichtphotovoltaik zu werden. Die Vorteile liegen auf der Hand: das Zusammenspiel aus Flexibilität, geringem Gewicht, potentieller Semitransparenz und sehr hoher Produktionsgeschwindigkeit kann in seiner Gesamtheit im Moment keine andere Technologie vorweisen. Auch die geringe Energieeffizienz, welche lange Zeit der größte Schwachpunkt der organischen Photovoltaik war, ist im Begriff an die etablierte anorganische Dünnschichtphotovoltaik heran zu reichen. Im Moment ist die Lebensdauer der Bauelemente der limitierende Faktor. Bei den Ursachen der limitierten Bauelementlebensdauer sind Parallelen zu den organischen Leuchtdioden zu erkennen. In beiden Fällen wurden die instabilen Elektroden als der Hauptgrund der Degradation identifiziert. Der experimentelle Ansatz dieser Arbeit zur eingehenden Untersuchung von Degradationsmechanismen von organischen Solarzellen ist der Einsatz von verschiedenen bildgebenden Methoden in Kombination und mit zeitlicher Auflösung, welcher in dieser Arbeit so das erste mal demonstriert wurde. Im Zusammenspiel mit den dazugehörigen I-V-Kennlinien und dem Wissen über den Zellaufbau kann so nicht nur eine laterale Informationen über die Probe generiert werden, sondern auch eine gewisse Tiefeninformation. Zusammen mit den zeitlich aufgelösten Informationen sind so Aussagen über materialbezogene Degradationsprozesse innerhalb der Solarzellstruktur möglich. Die Vorteile dieser bildgebenden Methoden gegenüber direkten Methoden zur Materialuntersuchung sind die im Vergleich geringen Kosten, der geringe Zeitaufwand und die Zerstörungsfreiheit. Die Alterung von organischen Solarzellen wurde in dieser Arbeit durch künstliche Beleuchtung simuliert und durch Bestimmung ihrer I-V-Kennlinien in-situ ihre Lebensdauer bestimmt. Als Ergebnis konnten durch die oben genannten Methoden neue Erkenntnisse über die Oxidation von Elektroden verschiedenen Materials, den stabilisierenden Einfluss von Titanoxidzwischenschichten auf die Grenzfläche Aktivschicht - Kathode, die Wirkung von Substraten und Versiegelungen auf die Degradation von Polymersolarzellen, aber auch den Anteil der intrinsischen Degradation gewonnen werden. Eine normale Solarzellarchitektur mit potentiell mehreren Jahren Lebensdauer unter realen Bedingungen wurde vorgestellt.
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=22381
Numerical investigations of shallow moist convection, 2013. - Online-Ressource (PDF-Datei: V, 128 S., 5,30 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2013
Parallel als Druckausg. erschienen
Atmosphärische Konvektion ist ein sehr aktives Forschungsfeld mit vielen Richtungen, etwa Messtechnik, Laborexperimente und numerische Simulationen. Ein Großteil dieser Simulationen sind sogennante Large-Eddy-Simulationen, bei denen nur die großskaligen Strömungsstrukturen aufgelöst werden und kleinere Strukturen der Turbulenz modelliert sind. Jedoch spielen genau diese kleineren Strukturen eine wichtige Rolle für das Verständnis physikalischer Prozesse innerhalb von Wolken. Deshalb werden in dieser Arbeit bevorzugt direkte numerische Simulationen durchgeführt, die alle turbulenten Längenskalen auflösen. Die höhere Auflösung geht aber auf Kosten der physikalischen Komplexität und der erreichbaren Turbulenzstärke. Die Arbeit beginnt mit einer kurzen Einführung in die Gebiete thermische und atmosphärische Konvektion. Besondere Beachtung erhält dabei das komplexe Zusammenspiel zwischen turbulenter Strömung und physikalischer Prozesse auf sehr kleinen Größenskalen. Auch wie Wolken auf das Klima der Erde einwirken wird diskutiert. Anschließend wird das Modell für feuchte Rayleigh-Benard Konvektion vorgestellt. Im Hauptteil der Dissertation werden Resultate der numerischen und analytischen Untersuchungen präsentiert. Zu Beginn liegt der Fokus auf dem Übergang zur Turbulenz. Einige Eigenschaften dieses Übergangs sind ähnlich derer einfacher Scherströmungen. Folglich können Methoden, die für die Untersuchung des Turbulenzübergangs solcher Strömungen entwickelt wurden, in abgwandelter Form hier genutzt werden. Im weiteren werden Ergebnisse direkter numerischer Simulationen diskutiert. Geometrische Eigenschaften der simulierten Wolken sowie der Einfluss der thermischen Randbedingungen sind Inhalt der folgenden Abschnitte. über die ganze Arbeit hinweg werden die Resultate mit Erkenntnissen aus trockener Rayleigh-Benard und atmosphärischer Konvektion verglichen. Das Hauptaugenmerk der Arbeit liegt auf der Erforschung des Effekts latenter Wärmefreisetzung auf atmosphärische konvektive Prozesse, ohne Berücksichtigung anderer relevanter Prozesse, wie zum Beispiel Niederschlag.
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=22190
Optical properties of wurtzite InN and related alloys, 2012. - Online-Ressource (PDF-Datei: IX, 126 S., MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2012
Parallel als Druckausg. erschienen
In dieser Arbeit werden die optischen Eigenschaften von Wurtzitstruktur InN und verwandten ternären InGaN und AlInN, sowie quaternären AlInGaN Legierungen untersucht. Der Schwerpunkt wird auf die Charakterisierung mittels spektroskopischer Ellipsometrie gelegt. Die auf Si(111) Substraten gewachsenen InN-Proben und die Kohlstoff dotierten InN-Proben sind im Spektralbereich vom mittleren Infrarot bis hin zum Vakuum-Ultraviolett untersucht worden. Die Elektronenkonzentration für die InN-Proben wird durch selbstkonsistentes Lösen (der Ellipsometriedaten Analyse im Infrarotbereich und der Anpassung des Absorption Ansatz) bestimmt. Die intrinsische spannungsfreie Bandlücke für InN Proben wird unter Berücksichtigung von Vielteilcheneffekten wie der Bandlückenrenormierung und der Burstein-Moss-Verschiebung, sowie dem Einfluss der Verzerrung für die Bandlücke bestimmt. Die k*p-Methode wird verwendet, um die Verschiebung der Bandlücke (beeinflusst durch Verzerrung) zu berechnen. Es wird demonstriert, dass eine Erhöhung des Kohlenstofftetrabromid (CBr4) Drucks während des Wachstumsprozess, die Elektronenkonzentration in den InN-Proben erhöht. Die Indium-verwandten Legierungen wurden im Spektralbereich des nahen Infrarot bis zum Vakuum-Ultraviolett untersucht. Das analytische Modell, der dielektrichen Funktion im Spektralbereich 1-10 eV, für die Indium-verwandte Legierungen wird präsentiert. Durch die Anpassung des analytischen Modells an die experimentellen dielektrischen Funktionen, werden die Bandlücke und die Übergangsenergien im Hochenergie-Bereich evaluiert. Die Bowing-Parameter der spannungsfreien Bandlücke für die ternären Systeme InGaN und AlInN werden bestimmt. Es wird demonstriert, dass der Bowing-Parameter für AlInN von der Komposition der Legierung abhängig ist. Die Kenntnis von Bowing-Parametern für die ternären Legierungen ermöglicht die Entwicklung einer empirischen Gleichung, zur Berechnung der Bandlücke in quaternären Legierungen. Alle experimentell durch Ellipsometrie bestimten Bandlücken der untersuchten Legierungen werden durch ab-initio Daten unterstützt.
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=21725
Monodisperse ZnO micro and nanoparticles obtained by micro segmented flow synthesis, 2012. - Online-Ressource (PDF-Datei: XV, 136 Bl., 7,22 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2012
Parallel als Druckausg. erschienen
Mikro- und Nanopartikel aus Zinkoxyd (ZnO) besitzen bemerkenswerte Eigenschaften für Applikationen im Bereich der Elektronik, Optik und Photonic. Als ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke ist ZnO ebenfalls für die Entwicklung von Sensoren, Light Emitting Diodes (LEDs) und Solarzellen von hohem Interesse. Die Herstellung definierter Materialien mit einheitlicher Morphologie und enger Partikel-Größenverteilung ist hierzu eine wichtige Voraussetzung. Verschiedene Verfahren zur Herstellung entsprechender Partikel sind in der Vergangenheit untersucht worden. Die tropfenbasierte Mikrofluidik bietet die Möglichkeit einer exzellenten Reaktionskontrolle durch die Verwendung eines Tropfens als Reaktionsgefäß. Kurze Mischzeiten, hohe Heiz-/Kühlraten sowie eine definierte Verweilzeit ermöglichen so neben stöchiometrischen Parametern eine exakte Reaktionsführung. Ziel der hier vorliegenden Dissertationsschrift ist die Untersuchung der ZnO-Präzipitation in entsprechenden mikrofluidischen Systemen sowie die Charakterisierung der hergestellten Materialien.
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=20978