Publikationen

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Markert, Martin; Klopfleisch, Manfred
Tunnelmikroskopische Detektionsmechanismen und Ausbreitungseigenschaften von Oberflächenplasmonpolaritonen. - In: Vortragsreihen, (1996), S. 207-211

Cole, Bryan E.; Chamberlain, John Martyn; Henini, Mohamed; Nakov, Valentin; Gobsch, Gerhard
Far-infrared intersubband transitions in a two-dimensional GaAs/(Al,Ga)As hole system: direct comparison of experiment and calculation. - In: Journal of applied physics, ISSN 1089-7550, Bd. 80 (1996), 10, S. 6058-6060

https://doi.org/10.1063/1.363564
Schön, S.; Angelov, Mirko; Goldhahn, Rüdiger
Crystal growth and characterization of ZnGe(As, P) 2. - In: Physica status solidi. Applications and materials science. - Weinheim : Wiley-VCH, 2005- , ISSN: 1862-6319 , ZDB-ID: 1481091-8, ISSN 1862-6319, Bd. 148 (1995), 2, S. 597-602

http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211480228
Goldhahn, Rüdiger; Nakov, Valentin; Gobsch, Gerhard; Chamberlain, John Martyn; Cheng, T. S.; Henini, Mohamed; Pate, M.
Optische Eigenschaften von modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Quantum-Well-Strukturen. - In: Vortragsreihen, (1995), S. 796-801

Goldhahn, Rüdiger; Gobsch, Gerhard; Nakov, Valentin; Henini, Mohamed; Hill, Geoffrey
Untersuchung von (100) und (311) A GaAs/AlGaAs Quantum-Well-Strukturen mittels Elektroreflexion. - In: Vortragsreihen, (1995), S. 790-795

Angelov, Mirko; Schön, S.; Goldhahn, Rüdiger; Nennewitz, Olaf
Synthese von ZnGe(As x P 1-x) 2 -Kristallen und Charakterisierung mittels elektrolytischer Elektroreflexion. - In: Vortragsreihen, (1995), S. 692-697

Nakov, Valentin; Gobsch, Gerhard; Schwierz, Frank; Nürnbergk, Dirk
Modellierung der statischen elektronischen Eigenschaften von Hochgeschwindigkeits-Feldeffekttransistoren auf Si-Basis. - In: Vortragsreihen, (1995), S. 416-421

Siebke, Ronald; Trott, Michael; Gobsch, Gerhard
Selbstkonsistente Berechnung und Simulation von zylindersymmetrischen Quantum-Dot-Strukturen. - In: Vortragsreihen, (1995), S. 363-368

Žochovec, Svjatoslav; Goldhahn, Rüdiger; Gobsch, Gerhard; Stein, Norbert; Chamberlain, John Martyn; Cheng, T. S.; Henini, Mohamed
Photocurrent in a Schottky-gated AlGaAs/GaAs structure with a single-quantum well. - In: Semiconductors, ISSN 0038-5700, Bd. 29 (1995), 7, S. 639-647


Abschlussarbeiten

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