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Prof. Dr. sc. techn. (ETH Zürich) Heiko O. Jacobs
Fachgebietsleiter
Fachgebiet Nanotechnologie
Gustav-Kirchhoff-Strasse 1 (Kirchhoffbau Raum 3036)
98693 Ilmenau
Telefon: +49 3677 69-3723
Telefax: +49 3677 69-3709
Das Institut für Mikro- und Nanoelektronik beschäftigt sich mit der Herstellung und Integration von Mikro- und Nanoelektronischen Bauelementen. Klassische Produkte der Mikroelektronik wie Mikrocontroller und Prozessoren, ASICs oder Speicher aus Silizium werden am IMNE jedoch weder gefertigt noch untersucht. Es geht vielmehr um neuartige Materialien, Bauelemente und Herstellungsverfahren mit dem Ziel, eine neue Generation von elektronischen Produkten zu ermöglichen. Als Beispiel werden 2D-Materialien zur Herstellung von Transistoren und Memristiven Bauelementen untersucht. Zur Materialabscheidung werden neben etablierten Methoden auch ressourcensparende (green) 3D-Nanodruck- und Direktschreibeverfahren erforscht. Erzeugte Bauelemente werden vereinzelt und in Systemen verbaut. Dazu werden neuartige heterogene Integrationsmethoden und Aufbau- und Verbindungstechniken erarbeitet, welche z.B. erstmalig mikroskopische Funktionseinheiten auf neuartige Trägermaterialien "hart, weich, elastisch, organisch, anorganisch“ anordnen und verbinden lassen.
Passive neuromorphe Bauelemente (z.B.: Memristive Speicher),
Aktive 2D-Materialien (Transistoren und Schalter)
RF und leistungselektronische Bauelemente,
Mikromechanische Sensoren,
auf Multimodale Nanopartikel basierende Sensor Arrays zur Kompositionsanalyse toxischer Gase
Aerosol-Analyse-Chips zur Detektion und Speicherung von Viren, Sporen und Bakterien
Metamorphe Elektronik (Mikrofonarray, Antennenarray, LED Arrays, Touchpads) welche durch mechanische Verformung neue Geometrien annehmen.
LED-Arrays zur Beleuchtung, hergestellt durch fluidische Selbstorganisation anstelle von Pick und Place.
Reaktive Dünnschicht-Systeme
LTCC basierte HF-Elektronik zur Satellitenkommunikation
HIPS-Sensoren, welche aus einer Fusion von Silizium und keramischer Mehrlagentechnik hervorgeht.