Arbeitsgebiete
1. Moderne Leistungsbauelemente
Trench-MOSFET für 20V-150V:
Zelloptimierungen mittels Devicesimulationen, statische und dynamische Charakterisierung, Optimierung der internen FWD Technologische Realisierung (Foundry)
Trench-IGBT für 600V – 3500V:
Zell- und Randstrukturoptimierungen mittels Devicesimulationen,
technologische Realisierung (Foundry), statische und dynamische Charakterisierung,
Freilaufdioden für 600V- 3500V:
Optimierung der Vertikal- und Randstruktur mittels Devicesimulationen, technologische Realisierung (Foundry), physikalische Untersuchungen zu Lebensdauerzentren (Parameterermittlung, Einbeziehung in die Devicesimulation)
2. Smart Power - IC
Auf der Basis eines umfangreichen Designframeworks und langjähriger Erfahrung werden neue integrierte Bauelemente, Schaltungstopologien und Demonstratoren von intergrierten Schaltungen entwickelt.
Folgende Technologien, insbesondere für den Mixed-Signal-Entwurf, stehen bei exzellenten Foundry-Partnern zur Verfügung und sind durch entsprechende Bibliotheken untersetzt:
- verschiedene CMOS-Technologien von 0.5-1.5µm mit einem großen Umfang an optionalen Prozessen (n-Kanal und p-Kanal Hochvolt (120V),
- mehrfach Poly-Si, mehrfach Metall, RAM, ROM, EEPROM etc.)
- BiCMOS-Technologie 0.8µm
- Bipolar-Prozesse bis 90V
- BCD-MOS-Prozeß bis 90V (optional 700V)
- SOI-Prozeß bis 800V und Einsatztemperaturen bis 200°C.
- Realisierte Bauelemente und Schaltungen können mit geeigneter Messtechnik on-wafer oder im Gehäuse statisch und dynamisch charakterisiert werden.
3. Weitere Arbeitsgebiete
- Modellbildung für Bauelemente und SPICE-Parameterextraktion
- Entwicklung von Sensoren (z.B.Temperatur, Strom) und Sensor-Auswerteschaltungen (ICs)
- Zuverlässigkeit von Leistungsbauelementen und -systemen
