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Cimalla, Volker; Ecke, Gernot; Niebelschütz, Merten; Ambacher, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Lu, Hai; Schaff, William J.
Surface conductivity of epitaxial InN. - In: Physica status solidi, ISSN 1610-1642, Bd. 2 (2005), 7, S. 2254-2257

http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200461448
Rossow, Uwe; Goldhahn, Rüdiger; Fuhrmann, Daniel; Hangleiter, Andreas
Reflectance difference spectroscopy RDS/RAS combined with spectroscopic ellipsometry for a quantitative analysis of optically anisotropic materials. - In: Physica status solidi, ISSN 1521-3951, Bd. 242 (2005), 13, S. 2617-2626

http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200541106
Buchheim, Carsten; Goldhahn, Rüdiger; Rakel, Munise; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Rossow, Uwe; Fuhrmann, Daniel; Hangleiter, Andreas
Dielectric function and critical points of the band structure for AlGaN alloys. - In: Physica status solidi, ISSN 1521-3951, Bd. 242 (2005), 13, S. 2610-1616

http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200541265
Jishiashvili, D.; Gobsch, Gerhard; Ecke, Gernot; Gobronidze, V.; Mtskeradze, G.; Shiolashvili, Z.
Surface passivation of GaAs using a Ge interface control layer. - In: Physica status solidi, ISSN 1862-6319, Bd. 202 (2005), 9, S. 1778-1785

http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200420026
Winzer, Andreas T.; Goldhahn, Rüdiger; Gobsch, Gerhard; Link, Angela; Eickhoff, Martin; Rossow, Uwe; Hangleiter, Andreas
Determination of the polarization discontinuity at the AlGaN/GaN interface by electroreflectance spectroscopy. - In: Applied physics letters, ISSN 1077-3118, Bd. 86 (2005), 18, S. 181912, insges. 3 S.

http://dx.doi.org/10.1063/1.1923748
Eberhardt, Jens; Metzner, Heinrich; Goldhahn, Rüdiger; Hudert, Florian; Reislöhner, Udo; Hülsen, Christian; Cieslak, Janko; Hahn, Thomas; Gossla, Mario; Dietz, A.
Defect-related photoluminescence of epitaxial CuInS 2. - In: Thin solid films, ISSN 1879-2731, Bd. 480/481 (2005), S. 415-418

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.11.089
Erb, Tobias; Zhokhavets, Uladzimir; Gobsch, Gerhard; Raleva, Sofiya; Stühn, Bernd; Schilinsky, Pavel; Waldauf, Christoph; Brabec, Christoph J.
Correlation between structural and optical properties of composite polymer/fullerene films for organic solar cells. - In: Advanced functional materials, ISSN 1616-3028, Bd. 15 (2005), 7, S. 1193-1196

http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200400521
Ibrahim, Maher al-; Konkin, Alexander; Roth, Hans-Klaus; Ayuk Mbi Egbe, Daniel; Klemm, Elisabeth; Zhokhavets, Uladzimir; Gobsch, Gerhard; Sensfuss, Steffi
Phenylene-ethynylene/phenylene-vinylene hybrid polymers: optical and electrochemical characterization, comparison with poly[2-methoxy-5-(3,7-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylene vinylene] and application in flexible polymer solar cells. - In: Thin solid films, ISSN 1879-2731, Bd. 474 (2005), 1/2, S. 201-210

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.188
Zhokhavets, Uladzimir;
Composite conjugated polymer/fullerene films : structure-property relation, 2005. - Online-Ressource (PDF-Datei: 108 S., 5310 KB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2005
Parallel als Druckausg. erschienen

Plastiksolarzellen stellen aufgrund ihrer niedrigen Produktionskosten, Flexibilität und niedrigem Gewicht eine vielversprechende Alternative zu herkömmlichen, auf anorganischen Materialien basierenden Solarzellen, z. B. Silizium, dar. Momentan wird die Vermarktung durch die relativ geringe Effizienz im Vergleich zu den sehr häufig eingesetzten Siliziumsolarzellen behindert. Um das Funktionsprinzip der Plastiksolarzellen zu verstehen und die Effizienz zu steigern, müssen Informationen über die Struktur der Absorberschicht gewonnen werden. Speziell der Zusammenhang zwischen dem strukturellen Aufbau der Absorberschicht und deren optischen und elektrischen Eigenschaften ist von herausragender Bedeutung. Das Ziel dieser Arbeit ist es, den Zusammenhang zwischen den strukturellen und optischen Eigenschaften sowie dem Ladungsträgertransport von konjugierten Polymer/Fulleren-Kompositschichten zu untersuchen, die als Absorberschichten in Plastiksolarzellen verwendet werden. Wir haben damit begonnen, mittels Röntgen-Diffraktometrie und Spektralellipsometrie reine Polythiophen-Schichten zu untersuchen. Die Ergebnisse beider Methoden zeigen, dass sich auf der Oberfläche des Substrates zunächst eine hoch geordnete Polythiophen-Grenzschicht ausbildet. Danach findet man für das Polythiophen über der geordneten Grenzschicht eine stetige Zunahme der Unordnung mit steigendem Abstand zum Substrat. Des Weiteren wurden die für das Schichtwachstum wichtigen Parameter ermittelt und der Zusammenhang zwischen der anisotropen Ladungsträgerbeweglichkeit und der Schichtstruktur demonstriert. In einem nächsten Schritt wurden Polythiophen/Fulleren-Kompositschichten untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass das Tempern der Kompositschichten zur Ausbildung der Polythiophenkristalliten führt. Ursache hierfür ist die verstärkte thermische Diffusion von Fullerenmolekülen während des Temperprozesses. Die Ausbildung von Polythiophenkristalliten hat zur Folge, dass die Absorption im sichtbaren Spektralbereich verstärkt wird. Die festgestellte Erhöhung des Wirkungsgrades von getemperten Polythiophen/Fulleren-Solarzellen nach dem Tempern wird durch die verbesserte Absorption und die gestiegene Ladungsträgerbeweglichkeit erklärt.



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Weih, Petia; Stauden, Thomas; Ecke, Gernot; Shokhovets, Sviatoslav; Zgheib, Charbel; Voelskow, Matthias; Skorupa, Wolfgang; Ambacher, Oliver; Pezoldt, Jörg
Ion beam synthesis of 3C-(Si 1-x C 1-y ) Ge x+y solid solution. - In: Physica status solidi, ISSN 1862-6319, Bd. 202 (2005), 4, S. 545-549

http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200460418

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