Žochovec, Svjatoslav; Goldhahn, Rüdiger; Gobsch, Gerhard; Cheng, T. S.; Foxon, Tom; Kipshidze, G. D.; Richter, Wo.
Reflectivity investigations as a method for characterizing group III nitride films. - In: Journal of applied physics, ISSN 1089-7550, Bd. 86 (1999), 5, S. 2602-2610
https://doi.org/10.1063/1.371098
Reflectivity investigations as a method for characterizing group III nitride films. - In: Journal of applied physics, ISSN 1089-7550, Bd. 86 (1999), 5, S. 2602-2610
https://doi.org/10.1063/1.371098
Puta, Horst; Gobsch, Gerhard; Schellenberger, Ulrich; Feldmann, H.; Bürger, H.-D.; Schulze, Dirk
Solarthermische Systeme mit hohem Wirkungsgrad und hohem Speichervermögen durch umfassende Nutzung der Vakuumisolation (VakuSol). - In: [Vortragsreihen, (1999), S. 535-538
Solarthermische Systeme mit hohem Wirkungsgrad und hohem Speichervermögen durch umfassende Nutzung der Vakuumisolation (VakuSol). - In: [Vortragsreihen, (1999), S. 535-538
Gobsch, Gerhard; Puta, Horst; Schulze, Dirk
Thüringer Forschungsschwerpunkt Solartechnik an der TU Ilmenau. - In: [Vortragsreihen, (1999), S. 531-534
Thüringer Forschungsschwerpunkt Solartechnik an der TU Ilmenau. - In: [Vortragsreihen, (1999), S. 531-534
Schulze, Dirk; Gobsch, Gerhard
Versuchsanlage zur Charakterisierung solarthermischer Komponenten und Systeme. - In: [Vortragsreihen, (1999), S. 487-492
Versuchsanlage zur Charakterisierung solarthermischer Komponenten und Systeme. - In: [Vortragsreihen, (1999), S. 487-492
Dmitruk, Nicola L.; Mayeva, Olga I.; Yastrubshak, Oksana B.; Mamykin, Sergiy V.; Klopfleisch, Manfred
Multilayer gratings : characterization and application. - In: 44. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1999), insges. 6 S.
Multilayer gratings : characterization and application. - In: 44. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1999), insges. 6 S.
Cole, Bryan E.; Langerak, C. J. G. M.; Murdin, B. N.; Bezant, C. D.; Chamberlain, John Martyn; Pidgeon, C. R.; Henini, Mohamed; Nakov, Valentin
Saturation absorption studies of intersubband relaxation rates in a p-GaAs/AlGaAs QW using a free electron laser. - In: Physica, ISSN 1386-9477, Bd. 2 (1998), 1/4, S. 181-185
http://dx.doi.org/10.1016/S1386-9477(98)00039-3
Saturation absorption studies of intersubband relaxation rates in a p-GaAs/AlGaAs QW using a free electron laser. - In: Physica, ISSN 1386-9477, Bd. 2 (1998), 1/4, S. 181-185
http://dx.doi.org/10.1016/S1386-9477(98)00039-3
Nakov, Valentin; Gobsch, Gerhard; Goldhahn, Rüdiger
Modellierung elektronischer und optischer Eigenschaften von Quantum-Well-Strukturen auf der Basis von Gruppe III-Nitriden. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Modellierung elektronischer und optischer Eigenschaften von Quantum-Well-Strukturen auf der Basis von Gruppe III-Nitriden. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Cimalla, Volker; Scheiner, Jörg; Ecke, Gernot; Friedrich, M.; Goldhahn, Rüdiger; Zahn, Dietrich R. T.; Pezoldt, Jörg
The measurement of the thickness of thin SiC layers on silicon. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 641-644
The measurement of the thickness of thin SiC layers on silicon. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 641-644
Goldhahn, Rüdiger; Shokhovets, Sviatoslav; Romanus, Henry; Cheng, T. S.; Foxon, C. Thomas
Free exciton recombination in tensile strained GaN grown on GaAs. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 1271-1274
Free exciton recombination in tensile strained GaN grown on GaAs. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 1271-1274
Shokhovets, Sviatoslav; Goldhahn, Rüdiger; Cimalla, Volker; Cheng, T. S.; Foxon, C. Thomas
Analysis of reflectivity measurements for GaN films grown on GaAs: influence of surface roughness and interface layers. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 1347-1350
Analysis of reflectivity measurements for GaN films grown on GaAs: influence of surface roughness and interface layers. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 1347-1350