Publications

As, Donat J.; Tschumak, Elena; Niebelschütz, Florentina; Jatal, Wael; Petzoldt, Joerg; Granzner, Ralf; Schwierz, Frank; Lischka, Klaus
Cubic AlGaN/GaN hetero-field effect transistors with normally on and normally off operation. - In: III-Nitride materials for sensing, energy conversion and controlled light-matter interactions, ISBN 978-1-605-11175-9, (2010), S. 107-112

Cimalla, Volker; Röhlig, Claus-Christian; Lebedev, Vadim; Ambacher, Oliver; Tonisch, Katja; Niebelschütz, Florentina; Brückner, Klemens; Hein, Matthias
AlGaN/GaN based heterostructures for MEMS and NEMS applications. - In: Solid state phenomena, ISSN 1662-9779, Bd. 159 (2010), S. 27-38

http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.159.27

Niebelschütz, Florentina; Brückner, Klemens; Tonisch, Katja; Stephan, Ralf; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver; Hein, Matthias A.
Piezoelectric actuated epitaxially grown AlGaN/GaN-resonators. - In: Physica status solidi. Current topics in solid state physics. - Berlin : Wiley-VCH, 2002-2017 , ISSN: 1610-1642 , ZDB-ID: 2102966-0, ISSN 1610-1642, Bd. 7 (2010), 7/8, S. 1829-1831

http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200983616

Niebelschütz, Florentina;
Mikrostrukturierungstechniken zur Herstellung von MEMS aus Halbleitern großer Bandlücke. - Ilmenau : Univ.-Verl. Ilmenau, 2010. - Online-Ressource (PDF-Datei: 200 S., 23,50 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2009
Parallel als Druckausg. erschienen

Die Erweiterung des Anwendungsspektrums Mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) um das Einsatzgebiet der chemischen, biologischen, gasartspezifischen und mikrofluidischen Sensoren stellt hohe Anforderungen an Stabilität (chemisch und mechanisch), Biokompatibilität, Miniaturisier- und Integrierbarkeit der verwendeten Materialien. Trotz der für diese Sensoren vorteilhaften Materialeigenschaften von Gruppe III-Nitriden gibt es bis heute nur eine beschränkte Anzahl von Forschergruppen, die sich mit der Prozessierung von MEMS auf Basis von GaN bzw. AlGaN/GaN-Heterostrukturen beschäftigen. Eine Hauptursache besteht vor allem in der aufwendigen Strukturierung dieser chemisch hoch stabilen Materialien. Die vorliegende Arbeit widmet sich daher der Entwicklung von Strukturierungstechniken zur Herstellung von MEMS aus Halbleitern großer Bandlücke mit einem besonderen Fokus auf nass- und trockenchemische Ätzverfahren. Diese sollen dazu verwendet werden, AlGaN/GaN-Resonatoren auf Si- und 4H-SiC-Substraten, sowie 3C-SiC/Si- und AlN/Saphir-Pseudosubstraten zu realisieren. Dabei wird das zweidimensionale Elektronengas (2DEG), welches sich an der Grenzfläche der AlGaN/GaN-Heterostruktur ausbildet, als Rückelektrode zur piezoelektrischen Anregung genutzt. Das entwickelte Technologiepaket vermeidet daher eine negative Beeinflussung der 2DEG-Rückelektrode und somit gleichzeitig der Funktionalität der MEMS. Zuletzt konnte die Funktionalität der so gefertigten piezoelektrisch angeregten AlGaN/GaN-Resonatoren nachgewiesen und zusätzlich die uniaxiale Verspannung der freigelegten AlGaN/GaN-Schichten auf den unterschiedlichen Substraten unter Anwendung einer Resonanzfrequenzanalyse ermittelt werden.

http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=16475

Sakalauskas, Egidijus; Schley, Pascal; Räthel, Jochen; Klar, Thomas; Müller, René; Pezoldt, Jörg; Tonisch, Katja; Grandal, J.; Sánchez-García, M. A.; Calleja, E.
Optical properties of InN grown on Si(111) substrate. - In: Physica status solidi. Applications and materials science. - Weinheim : Wiley-VCH, 2005- , ISSN: 1862-6319 , ZDB-ID: 1481091-8, ISSN 1862-6319, Bd. 207 (2010), 5, S. 1066-1069

http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200983102