Cimalla, Volker; Eichhorn, Gerd; Nakov, Valentin; Pezoldt, Jörg
Der Einfluß der Aufheizgeschwindigkeit auf die Keimbildung von SiC auf Silizium. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Der Einfluß der Aufheizgeschwindigkeit auf die Keimbildung von SiC auf Silizium. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Scharmann, Friedhelm; Pezoldt, Jörg; Cimalla, Volker; Stauden, Thomas; Eichhorn, Gerd
Kohlenstoff induzierte Rekonstruktionen auf Si-Oberflächen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Kohlenstoff induzierte Rekonstruktionen auf Si-Oberflächen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Wöhner, Thomas; Ecke, Gernot; Rößler, Hans
Ionenstrahl-induzierte Oberflächenrauhigkeit auf Metallisierungsschichten und deren Einfluß auf AES-Tiefenprofile. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 5 S.
Ionenstrahl-induzierte Oberflächenrauhigkeit auf Metallisierungsschichten und deren Einfluß auf AES-Tiefenprofile. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 5 S.
Scharmann, Friedhelm; Teichert, Gerd; Eichhorn, Gerd; Pezoldt, Jörg
Polytypanalyse von Epitaxieschichten mit RHEED. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Polytypanalyse von Epitaxieschichten mit RHEED. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Liday, Jozef; Ecke, Gernot; Kosiba, Ratislav; Vogrinčič, Peter; Breza, Juraj
Depth profiles of multilayer structures: measured by AES and simulated. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 5 S.
Depth profiles of multilayer structures: measured by AES and simulated. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 5 S.
Teichert, Gerd; Schleicher, Larissa; Spieß, Lothar; Yankov, Rossen A.; Knedlik, Christian; Pezoldt, Jörg
Thermowellenanalyse an implantiertem SiC. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 8 S.
Thermowellenanalyse an implantiertem SiC. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 8 S.
Spieß, Lothar; Romanus, Henry; Teichert, Gerd; Pezoldt, Jörg
Werkstoffanalytische Probleme bei der Charakterisierung von Siliziumkarbid für Mikrotechnikanwendungen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Werkstoffanalytische Probleme bei der Charakterisierung von Siliziumkarbid für Mikrotechnikanwendungen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Attenberger, Wilfried; Lindner, Jörg; Stritzker, Bernd; Cimalla, Volker; Stauden, Thomas; Ecke, Gernot; Eichhorn, Gerd; Pezoldt, Jörg
Ein Wachstumsmodell für die Karbonisierung von Siliziumsubstraten unter SSMBE-Bedingungen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 8 S.
Ein Wachstumsmodell für die Karbonisierung von Siliziumsubstraten unter SSMBE-Bedingungen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 8 S.
Schenk, Andre; Rainova, Yu. P.; Pezoldt, Jörg
Simulation von Strömungsprozessen in einem RTP-Reaktor. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 8 S.
Simulation von Strömungsprozessen in einem RTP-Reaktor. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 8 S.
Cimalla, Volker; Scheiner, Jörg; Ecke, Gernot; Friedrich, M.; Goldhahn, Rüdiger; Zahn, Dietrich R. T.; Pezoldt, Jörg
The measurement of the thickness of thin SiC layers on silicon. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 641-644
The measurement of the thickness of thin SiC layers on silicon. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 641-644